背景:In2O3是最重要的半導體金屬氧化物之一,主要是因為它具有寬帶隙、高電子遷移率和加工通用性。為此,可以使用可擴展且廉價的基于溶液的沉積方法來制備高質(zhì)量的In2O3薄膜,從而使···
閱讀量:5002023
背景:金屬氧化物薄膜晶體管(TFT)為新興的透明和柔性微電子應用提供了絕佳的機會。不幸的是,它們的性能受到與寄生效應相關的限制的阻礙,例如寄生電極重疊電容和高接觸電阻,這會嚴重限制···
閱讀量:1042024
Copyright ? 2022 寧波柔印電子科技有限責任公司 All Rights Reserved.浙ICP備18004554號-1 XML地圖
技術支持:海巨天